Skillnad mellan GTO och SCR

GTO vs SCR

Både SCR (Silicon Controlled rectifier) ​​och GTO (Gate Turn-Off Thyristor) är två typer av tyristorer av fyra halvledarskikt. Båda enheterna har tre terminaler kallad anod, katod och grind, där en puls på grind används för att styra strömmen som strömmar genom enheten.

SCR (silikonstyrd likriktare)

SCR är en tyristor och används i stor utsträckning i nuvarande korrigeringsapplikationer. SCR är tillverkad av fyra alternerande halvledarskikt (i form av P-N-P-N), består därför av tre PN-korsningar. I analys betraktas detta som ett tätt kopplat par BJT (en PNP och annan i NPN-konfiguration). De yttersta P- och N-typhalvledarkikten benämns respektive anod och katod. Elektroder ansluten till inre P-typ halvledarlager är känt som "grinden".

I drift verkar SCR att utföra när en puls är försedd till grinden. Den fungerar i antingen "på" eller "av" -status. När porten utlöses med pulsen går SCR till "on" -läget och fortsätter att leda tills framströmmen blir mindre än ett tröskelvärde som kallas "hållström".

SCR är en kraftenhet och de flesta gånger används den i applikationer där höga strömningar och spänningar är inblandade. Den mest använda SCR-applikationen är att styra (likriktar) växelströmmar.

GTO (Gate Turn-Off Thyristor)

GTO är också en typ av tyristor tillverkad av fyra P-typ och N-typ halvledarlager, men anordningens struktur är lite annorlunda jämfört med SCR. Tre terminaler av GTO kallas också "anod", "katod" och "grind".

I drift verkar GTO-utförande när en puls tillhandahålls till grinden. När porten utlöses med en positiv puls, går GTO till det ledande läget som liknar SCR.

Förutom funktionerna i SCR är "off" -tillståndet för GTO även reglerbart genom en negativ puls. I SCR sker inte "off" -funktionen förrän framströmmen är mindre än tröskelhållarströmmen.

GTO är också kraftenheter och används mest för växelströmstillämpningar.