Skillnad mellan PROM och EPROM

PROM vs EPROM

I elektronik och databehandling är minneselement viktiga för att lagra data och hämta dem efteråt. I tidigaste skeden användes magnetband som minne och med halvledarrevolutionens minneselement utvecklades även baserat på halvledare. EPROM och EEPROM är icke-flyktiga halvledarminnetyp.

Om ett minneselement inte kan behålla data efter att ha kopplats från strömmen är det känt som ett flyktigt minneselement. PROM och EPROM var banbrytande teknik i icke-flyktiga minnesceller (dvs de kan behålla data efter att de kopplats från strömmen) vilket ledde till utvecklingen av moderna minnesmoduler.         

Vad är PROM?

PROM står för Programmerbart läsminne, en typ av icke-flyktigt minne skapat av Weng Tsing Chow 1959 på begäran av US Air Force som ett alternativ för minnet av Atlas E och F ICBM-modeller ombord (luftburet) digital dator. De är också kända som One-Time Programmable Non-Volatile Memory (OTP NVM) och fältprogrammerbart läsminne (FPROM). För närvarande används dessa i stor utsträckning i mikrokontroller, mobiltelefoner, radiofrekvensidentifieringskort (RFID), högupplösta mediainterfaces (HDMI) och videospelkontrollers.

Data som skrivs på ett PROM är permanent och kan inte ändras. Därför brukar de användas som statiskt minne, som t.ex. firmware för enheter. Tidiga dators BIOS-chips var också PROM-chips. Före programmeringen har chipet endast bitar med ett värde en "1". I programmeringsprocessen konverteras endast erforderliga bitar till noll "0" genom att blåsa varje säkringsbit. När chipet är programmerat är processen oåterkallelig; Därför är dessa värden oföränderliga och permanenta.

Baserat på tillverkningstekniken kan data programmeras på wafer, slutprov eller systemintegrationsnivåer. Dessa programmeras med en PROM programmerare som blåser säkringarna för varje bit genom att applicera en relativt stor spänning för att programmera chipet (vanligtvis 6V för 2nm tjockt lager). PROM-celler skiljer sig från ROM: er; De kan programmeras även efter tillverkning, medan ROM-skivor endast kan programmeras vid tillverkning.

Vad är EPROM?

EPROM står för Raderbart programmerbart läsminne, även en kategori av icke-flyktiga minnesenheter som kan programmeras och även raderas. EPROM utvecklades av Dov Frohman på Intel 1971 baserat på undersökningen av felaktiga integrerade kretsar där transistorernas grindanslutningar hade brutit.

En EPROM-minnescell är en stor samling flytande gatefelt-effekttransistorer. Data (varje bit) skrivs på enskilda fälteffekttransistorer inuti chipet med hjälp av en programmerare som skapar källavloppskontakter inuti. Baserat på celladressen lagrar en viss FET data och spänningar som är mycket högre än de normala digitala kretsens driftsspänningar i denna operation. När spänningen avlägsnas fälls elektronerna i elektroderna. På grund av sin mycket låga ledningsförmåga uppvisar kiseldioxiden (SiO₂) isoleringsskiktet mellan grindarna bevarar laddningen under långa perioder, varigenom minnet hålls kvar i tio till tjugo år.   

En EPROM-chip raderas genom exponering för stark UV-källa, såsom en kvicksilverångampa. Erasning kan göras med hjälp av UV-ljus med en våglängd kortare än 300 nm och exponering i 20-30 minuter på nära håll (<3cm). For this, EPROM package is built with a fused quartz window that exposes the silicon chip to the light. Therefore, an EPROM is easily identifiable from this characteristic fused quartz window. Erasure can be done using X-rays too.

EPROM används i grunden som statiska minnesbutiker i stora kretsar. De användes allmänt som BIOS-chips i datorens moderkort, men de ersätts av ny teknik som EEPROM, som är billigare, mindre och snabbare.

Vad är skillnaden mellan PROM och EPROM?

• PROM är den äldre tekniken, medan både PROM och EPROM är icke-flyktiga minnesenheter.

• PROMs kan programmeras endast en gång medan EPROM är återanvändbara och kan programmeras flera gånger.

• Processen i programplaneringen är irreversibel. Därför är minnet permanent. I EPROM kan minnet raderas genom exponering för UV-ljus.

• EPROM har ett smält kvartsfönster i förpackningen för att tillåta detta. PROMs är slutna i komplett plastförpackning; UV har därför ingen effekt på PROM

• I PROMs skrivs / programmeras data på chipet genom att blåsa säkringarna vid varje bit med mycket högre spänningar än de genomsnittliga spänningarna som används i digitala kretsar. EPROMS använder även högspänning, men inte tillräckligt för att ändra halvledarskiktet permanent.