Skillnad mellan MOSFET och BJT

MOSFET vs BJT

Transistor är en elektronisk halvledaranordning som ger en stor förändring av elektrisk utsignal för små förändringar i små insignaler. På grund av denna kvalitet kan enheten användas som antingen en förstärkare eller en strömbrytare. Transistor släpptes 1950-talet och kan betraktas som en av de viktigaste uppfinningarna i 20-talet med tanke på bidraget till IT. Det är en snabbt utvecklande enhet och många typer av transistorer har introducerats. Bipolär Junction Transistor (BJT) är den första typen och Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) är en annan transistortyp introducerad senare.

Bipolär Junction Transistor (BJT)

BJT består av två PN-korsningar (en korsning som görs genom att ansluta en halvledare av p-typ och n-typ). Dessa två korsningar bildas genom att förbinda tre halvledarstycken i storleksordningen P-N-P eller N-P-N. Därför finns två typer av BJTs kända som PNP och NPN tillgängliga.

Tre elektroder är anslutna till dessa tre halvledardelar och mittledaren kallas "bas". Andra två korsningar är "emitter" och "collector".

I BJT styrs den stora kollektoremitterns (Ic) strömmen av den lilla basemitterströmmen (IB) och den här egenskapen utnyttjas till konstruktionsförstärkare eller strömbrytare. Därför kan det betraktas som en aktuell driven enhet. BJT används mestadels i förstärkarkretsar.

Metalloxid halvledarfält-effekttransistor (MOSFET)

MOSFET är en typ av Field Effect Transistor (FET), som består av tre terminaler känd som "Gate", "Source" och "Drain". Här styrs avloppsströmmen av grindspänningen. MOSFET är därför spänningsstyrda enheter.

MOSFET är tillgängliga i fyra olika typer, t.ex. n-kanal eller p-kanal, antingen i uttömnings- eller förbättringsläge. Avlopp och källa är gjorda av n-typ halvledare för n-kanal MOSFET, och på liknande sätt för p-kanalanordningar. Porten är gjord av metall och separerad från källa och avlopp med en metalloxid. Denna isolering medför låg strömförbrukning och det är en fördel i MOSFET. Därför används MOSFET i digital CMOS logik, där p- och n-kanal MOSFET används som byggstenar för att minimera strömförbrukningen.

Även om begreppet MOSFET föreslogs mycket tidigt (1925), genomfördes det praktiskt taget 1959 vid Bell Labs.