Skillnad mellan IGBT och Thyristor

IGBT vs Thyristor

Thyristor och IGBT (Isolerad Gate Bipolär Transistor) är två typer av halvledaranordningar med tre terminaler och båda används för att styra strömmen. Båda enheterna har en kontrollterminal som kallas "gate", men har olika operativa huvudmän.

Tyristor

Thyristor är gjord av fyra alternerande halvledarskikt (i form av P-N-P-N), består därför av tre PN-korsningar. I analys betraktas detta som ett tätt kopplat par transistorer (en PNP och annan i NPN-konfiguration). De yttersta P- och N-typhalvledarkikten benämns respektive anod och katod. Elektroder ansluten till inre P-typ halvledarlager är känt som "grinden".

Vid drift verkar tyristoren ledande när en puls är försedd till grinden. Det har tre driftsätt som kallas 'back blocking mode', 'forward blocking mode' och 'forward conducting mode'. När porten utlöses med puls, går tyristorn till "framåtriktat läge" och fortsätter att leda tills framströmmen blir mindre än tröskeln "hållström".

Thyristorer är kraftenheter och de flesta gånger används de i applikationer där höga strömningar och spänningar är inblandade. Den mest använda tyristorapplikationen är att styra växelströmmar.

Isolerad portbipolär transistor (IGBT)

IGBT är en halvledaranordning med tre terminaler som kallas 'Emitter', 'Collector' och 'Gate'. Det är en typ av transistor, som kan hantera en högre mängd ström och har en högre växelhastighet som gör den hög effektiv. IGBT har introducerats på marknaden på 1980-talet.

IGBT är har de kombinerade egenskaperna hos både MOSFET och bipolär förbindelsestransistor (BJT). Det är portdriven som MOSFET och har nuvarande spänningsegenskaper som BJTs. Därför har den fördelarna med både hög strömhanteringskapacitet och enkel kontroll. IGBT-moduler (består av ett antal enheter) hanterar kraftkällor.