Skillnad mellan BJT och IGBT

BJT vs IGBT

BJT (Bipolär Junction Transistor) och IGBT (Isolerad Gate Bipolär Transistor) är två typer av transistorer som används för att styra strömmen. Båda enheterna har PN-korsningar och olika i enhetsstruktur. Även om båda är transistorer, har de betydande skillnader i egenskaper.

BJT (Bipolär Junction Transistor)

BJT är en typ av transistor som består av två PN-korsningar (en korsning gjord genom att ansluta en halvledare av p-typ och n-typ halvledare). Dessa två korsningar bildas genom att förbinda tre halvledarstycken i storleksordningen P-N-P eller N-P-N. Därför finns två typer av BJT, kända som PNP och NPN, tillgängliga.

Tre elektroder är anslutna till dessa tre halvledardelar och mittledaren kallas "bas". Andra två korsningar är "emitter" och "collector".

I BJT, stor kollektor emitter (I_c) ström styrs av den lilla basemitterströmmen (I_B), och den här egenskapen utnyttjas för att designa förstärkare eller växlar. Därför kan det betraktas som en aktuell driven enhet. BJT används mestadels i förstärkarkretsar.

IGBT (isolerad portbipolär transistor)

IGBT är en halvledaranordning med tre terminaler som kallas 'Emitter', 'Collector' och 'Gate'. Det är en typ av transistor, som kan hantera en högre mängd ström och har en högre växelhastighet som gör den hög effektiv. IGBT har introducerats på marknaden på 1980-talet.

IGBT har de kombinerade egenskaperna hos både MOSFET och bipolär förbindelsestransistor (BJT). Det är portdriven som MOSFET och har nuvarande spänningsegenskaper som BJTs. Därför har den fördelarna med både hög strömhanteringskapacitet och enkel kontroll. IGBT-moduler (består av ett antal enheter) hanterar kraftkällor.